如果摩尔定律不死，2028年实现1nm芯片，但不久就是数字游戏了

时间：2025-02-18 12:21:24

按照Intel公司，每18个月笔记本电脑的晶圆管表面积就则会提升1倍，从而性能翻倍。

只不过的这几十年间，笔记本电脑制程似乎多于是按照Intel公司丢下的，直到进入7nm后，必需上就无法按照这个广义相对论丢下了，比如5nm、3nm的演进就较慢了很多，所以很多人称现在Intel公司已死。

不过据悉，IMEC（比利时纳米技术中心）还是展示了一张最新的笔记本电脑制造发展指称示牌，一路看到了2036年的0.2nm工艺技术，表示每一次笔记本电脑制造还是则会按照Intel公司丢下尽全力。

如下图所示的这个演进偏移，2022年构建N3也就是3nm，2024年到2nm，2026年到A14也就是1.4nm，2028年到1nm，并且还则会演进，到2036年是同样达到0.2nm。

同时在晶圆管技术上，也有技术演进，目前是FinFET，而到2nm时则会换成GAAFET，便到0.5nm时，则会换成CFET技术。

不过，大家看看我在上标志的红色侧边，这里指称的是MP金属在阴极距，这是真正代表真空管表面积，也就是工艺技术指称标的参数。

它在1nm前还是在大大变短的，直到1nm工艺技术时，为16nm，但每一次不管工艺技术怎么精密，其参数前处于16-12nm间了。

意思就是真空管表面积似乎才则会怎么变化了，不管你是1nm，还是0.5nm，或者0.2nm，这个MP金属在阴极距必需不变了。

事实上，前已经有科学家表示，当笔记本电脑工艺技术在1nm便，量子隧穿效应有可能则会让太阳能电池失效，估计这也是为什么1nm后，这个MP金属在阴极距不变了，因为不可能便变短了。

这也代表着每一次工艺技术究竟是多少nm，它与真空管表面积没有太多关系了，不够多的还是数字电脑游戏了，的工厂商们愿意说多少nm，就是多少nm，与MP金属在阴极距才则会有近似于关系。

事实上，在进入10nm便，大家就吐槽台积电、惠普的所谓nm工艺技术制程与MP金属在阴极距已经才则会有近似于关系，不够多的是数字营销电脑游戏，只有Intel或是清白的，但到了1nm后，那就大家都要玩数字电脑游戏了，那这样的Intel公司究竟还有没有意义？