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DRAM1万亿投资建厂,第二个2nm工厂,剑指1nm

时间:2024-10-21 12:19:35

即使用一种半合金,即钡元素(Bi),来换成普通合金与单层金属材料连接。

这种超厚单层金属材料,在这种情况下是二硫化钼,被认为是绕开硅基集成电容关键技术现在碰上的小型化限制的主要竞争者。

合金和太阳能电池金属材料(包括这些单层太阳能电池)两者之间的界面归因于了一种比如说合金游离的间隙(MIGS)平衡状态周期性,这导致了肖特基屏障的产生,这种周期性抑制作用了电荷载体的流动。

使用一种半合金,其电子宇宙学性质介于合金和太阳能电池两者之间,再加上两种金属材料两者之间适当的能量排列,结果是扫除了这个缺陷。

研究课题其他政府机构通过这项关键技术,展示了不具备非凡性能的微型化集成电容,保证了将来集成电容和微芯片关键技术路线图的承诺。

摘要 本文来自微信社会公众号“新智元”(ID:AI_era),写作者:新智元,36氪经认可释出。

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